HP Labs + Hynix = мемристорная память
История мемристоров начинается в далеком 1971 году, почти сорок лет назад – тогда профессор кафедры электротехники и вычислительных систем при Калифорнийском университете в Беркли, Леон Чуа, предсказал появление четвертого базового пассивного элемента электронных схем (дополнившего бы список из резистора, конденсатора и катушки индуктивности).
В 2008 году ученым из компании Hewlett-Packard удалось создать работающий прототип теоретического элемента, тогда то и началось самое интересное. По самым оптимистичным прикидкам память на базе мемристоров – весьма перспективная технология, способная «отправить на свалку» все массово производящиеся на данный момент типы памяти.
Как и PCM (память на фазовых переходах), о которой мы писали ранее, новая технология в перспективе будет способна избавить компьютер от разделения памяти на оперативную и «пассивную», так как одновременно обладает свойствами энергонезависимой памяти, высокой скоростью считывания/записи данных и даже способностью производить логические операции (что с успехом продемонстрировали исследователи, создавшие мемристорный транзистор в прошлом месяце).
Сегодня компания HP объявила о создании совместного с Hynix Semiconductor предприятия, целью которого станет продвижение мемристорных чипов на рынок и замещение ими обычной флэш-памяти.
Как утверждает руководитель HP Labs, Стэн Уильямс, «новая универсальная технология памяти способна заменить не только флэш, но и DRAM, магнитные жесткие диски и даже SRAM». Но что еще интереснее, Уильямс ожидает увидеть первые образцы конечного продукта уже в 2013 году, причем цена на чипы мемристорной памяти будет идентичной цене на чипы флэш-памяти. При идентичной цене, мемристорная память будет обладать «по крайней мере, в два раза большим объемом, будет в 10 раз энергоэффективнее и значительно быстрее ‘классической’ флэш-памяти».
Что ж, дождемся 2013 года – увидим, а пока со стороны мемристоров и PCM не видно действительно конкурентоспособных продуктов.
